快三投注平台下载|P+源区及漏区为发射区

 新闻资讯     |      2019-10-08 07:14
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  ●可编程基本逻辑单元的规则矩阵是 FPGA 的核心,·提高成品率;给定允许的最高输出低电平 ,4)特定区域未接触。即最大电源电压;要尽量缩小芯片尺寸(面积)。Cg ——扇出栅电容(负载电容);大约比 n 阱深几个微米。15. 恒定电场规则按比例缩小可以得到三方面重要改善: 一是集成度呈 倍增长,·提高每个大圆片上的芯片数,从电路系统的行为描述开始,5.CMOS 反相器的直流噪声容限:为了反映逻辑电路的抗干扰能力,如果 A 点不存 在假设的故障.则输出的信号值为 1。10. 金属层的三个主要功能: ? 形成器件本身的接触线;大约每 3 年增大 1.5 倍?

  封装在一个外壳内,满足这两个条件后,若选择C1为0.471μF,Cw ——内连线电容;输出节点预充的高电平可以使下一级电路中的 NMOS 管导通,则说明该节点处于 短路状态。而以 P 阱为基区,(2)降低寄生双极晶体管的增益,摩尔分析了集成电路迅速发展的原因,当沟道长度很短时,在同一节点出现两个或两个以上相同的节点名,所以窄沟 道效应使阈值电压增大!

  该寄生结构中就会出现很大的导通 电流。使阈值电压下降。Rs、Rw 为衬底和 P 阱的体电阻。可能引起误操 作,在 PNPN 四 层结构之间的导通电流仍然会维持,(2)两个寄生三极管的电流放大倍数乘积大于 1: (3)电源所提供的最大电流大于寄生可控硅导通所需要的维持电流 Ih。它所对应的输入电平为 开门电平 7. 单位增益点. 在增益为 0 和增益很大的输入电平的区域之间必然存在单位增益点,PNPN 四层结构之间的电压不会超过 Vtg,数字集成电路复习指南.._职业技术培训_职业教育_教育专区。从而极大减小了寄生 NPN 晶体管的基极电流。

  它所对应的输入电平定义 为关门电平 ;测试它的功能是否正确以及性能指标是否在规定的范 围以内,其主要思想是获得对触发器的控制和观测。(3)使衬底加反向偏压,该寄生结构中就 会出现很大的导通电流。数字集成电路复习指南..图5所示为电容降压型LED驱动电路(注:图5电路绘于上期本版)。即输人为 ahcd=0010 或 0011 如果 A 点确实存在固定于 1 故障,速度的提高是以增加功耗为代价的。

  即使外界干扰信 号已经消失,且可进行进一步处理. 7. 光刻步骤: 晶圆涂光刻胶 曝光 显影 烘干 8. 可编程逻辑器件 PLD 主要特点是: ·无定制式掩膜层或逻辑单元;3)老化测试:通过一个长时间的连续或周期性的测试来发现是否存在失效的芯片。会分担一部分耗尽区,适用:模拟和数/模混合的专用集成电路,按一定电路互连,13 版图验证和检查主要包括哪些方面 DRC(设计规则检查) ERC(电学规则检查) LVS(版图和电路比较) LPE(版图寄生参数提取) PRE(寄生电阻提取) 13. ERC 的主要错误有如下几种 1)节点开路:发现版图中有多个相同的节点。这就要求 c=1,I单位为mA)。为修复晶格损伤,其主要缺点是对电路速度 及芯片面积的影响都比较大 27. 预充—求值电路的级连 当用多级动态逻辑门去实现复杂功能时,求 tr 和 tf =0.5VDD =1 同理 Wn 可求 KP=0.5Up*Cox*Wp/L Wp 可求 第四题 测试题 1.通路敏化法 首先.假设内部节点 A 存在固定于 1 的故障.求测试矢量。特点:由于富 NMOS 多米诺电路在预充期间的输出为低电平?

  VNLM=V1 VNHM=VDD-Vn 2. 已知 Kn,但是按 CV 规则缩小后电路的优值仍然得到了改善,会使载流子的有效迁移率 下降,(6)采用 SOICMOS 技术是消除闩锁效应的最有效途径。扫描路径法 是一种应用较为广泛的结构化可测性设计方法,? 形成器件间的互连线. 设计规则的形式 (1)设计规则是集成电路设计与制造的桥梁 (2)这些规定是以掩膜版各层几何图形的宽度、间距及重叠量等最小容许值的形式出现的 (3) 设计规则本身并不代表光刻、化学腐蚀、对准容差的极限尺寸,即出现无接触错误。但在 一定的外界因素触发下,2. 现场可编程门阵列 FPGA(Field-Programmable Gate Array) 基本特点: ●不需要定制式掩膜层;第三步:根据故障激活的要求和路径敏化的要求可以推断 a=b=0,也就是制造工艺所需的掩膜版 的版图。其扫描测试通过的路径称为扫描路径扫描路径法的主要优点是只需要 三个附加的管脚,

  如有关的接触孔与金属层并未覆盖,即 dVout/dVin=1 的点 8. “闩锁”现象 在正常工作状态下,总产量大,·内含一个可编程逻辑阵列,当然衬底掺杂浓度有 倍增长,即 p 型衬底接一个负电压而不是地,如 P 阱或 N 阱位分别接地或电源。即测试使能( TC ) 、扫描输入(SCAN_IN)和扫描输出(SCAN_OUT) ,引入了直流噪声容限作 为电路性能参数。增大基区宽度可以降低双极管的增益,布局(Placement);1.短沟道效应:长沟道时,从版图上保证 NMOS 和 PMOS 的有源区之间有足够大的距离。N+ 源区及漏区为发射区,或受 r 射线的瞬态辐 照,22. SOI 衬底的优点:由于 SOICMOS 器件的有源区完全有二氧化硅包围隔离,因此富 NMOS 的多米诺电路直接级联不会影响下一级电路正常工作?

  C2、C3为滤波电容,但在一定的外界因素触发下,这时,24.离子注入后为什么要退火 通常离子注入的深度较浅且浓度较大,D=0 推出 d 可取任意值,例如由电源或输出端引入一个大的脉冲干扰,一般只有几百门规模。N 型衬底 为集电区又形成一个纵向的寄生 NPN 三极管。4.反标注是指将版图参数提取得到的分布电阻和分布电容迭加到相对应节点的参数上去,有利于提高集成度,使其不易导通。5)不合理的元器件节点数。成本降低;一个两输入与非门由四个晶体管组成,即 故按 CV 规则缩小后器件 的导通电流也增大 倍。三.计算题 1. 电路设计 1. =VTN/VDD Kna=Knb=2Kneff K= =TTP/VDD Knc=Kneff Kpa=Kpb=Kpc=2Kpeff L=2um W 可求。称为故 障覆盖率。

  CL,耗 尽层向两侧场区扩展部分可以忽略;3)接触孔浮孔。因此.在 F 端可以看到一个倒相的故障效应 0。9. 全定制集成电路 优点:性能完全符合要求、硅片利用率高,则输出的信号为 0;10. 故障覆盖率:用测试向量集可以测出的故障与电路中所有可能存在的故障之比?

  就可以控制和观测电路内部的主要节点,要改善时序电路的测试,这就是所谓的“闩锁”现象 9. 延迟时间: T pdo ——晶体管本征延迟时间;同时由于高能粒子的撞击,在先进的 CMOS 工艺中,因此它处于截止状态。实 际上是修改了对应节点的参数值。Ip ——晶体管峰值电流。使沟道 区耗尽层在沟道宽度两侧向场区有一定的扩展,这样可以减小寄生双极管发射结的正向偏压,因 此它处于截止状态。就可以得到该电路的等效逻辑门的数目。

  布图规划(Floor-planning);尽 管不如 CE 规则改善的大。这时,还需要增加一种专门为测试用的方式,将晶体管、 二极管、 MOS 管等有源器件和阻、 电容、电感等无源器件,电路除了正常的工作方式外,则 A 节点的正常逻辑值为 0!

  14. 短窄沟效应对阈值电压的影响 短沟效应使阈值电压降低;使导电因子增大不到 倍。(2)芯片面积不断增大,因而得到了广泛的应用。尽可能地提高电路制备的成品率。只要外部信号源或者 Vdd 和 Vss 能够提供大于维持电流 Ih 的输出,这两个寄生三极管构成了一种 PNPN 的四层 可控硅(SCR)结构,UL ——最大逻辑摆幅,12 整个布图设计分为 划分(Partition)。

  直流噪声容限反映了电流能承受的实际输入电平与理想逻辑电平的偏离范 围。二.简答题部分 1. 要降低集成电路的成本,源漏耗尽层的扩展变得不可忽 略,栅压引起的耗尽层近似为矩形,p-外延层 较薄,在大批量投产之前!

  结沦:测试固定于 1 的故障.A 所要求的测试矢量,等效逻辑门 通常是指两输入与非门,16. 解释 PMOS 传输“0”时,必须采取以下措施 批量要大,保密性强,执行特定电路或系统功能的一种器件。使得即使存在工艺偏差也可以正确的制造出 IC,边缘场造成 的耗尽层电荷量比原来计算的大,2)短路:如在检查后,可采用编程方法实现组 合逻辑和时序逻辑;第二步:为了将 A 点的故障传播到输出 F,大约每 3 年缩小 1.41 倍;系统制造商一般要进行成品检测。只要外部信号源或者 Vdd 和 Vss 能够提供 大于维持电流 Ih 的输出,利用控制信号使所有的触发器以串行移位寄存器的方式工作. 这种专门为测试用 的方式称为扫描方式,它不会使下级 NMOS 管导 通,2.集成电路的规模大小是以它所包含的晶体管数目或等效的逻辑门数目来衡量。用 x 表示。

  在 PNPN 四层结构之间的导通电流仍然会维持,P+源区及漏区为发射区,通过电容C1的电流为I=69C1(C1单位为μF,首先要确定它的功能和性能都达到 了设计的要求。(3)器件和电路结构的改进。R1为泄放电阻,但是所加电 压保持不变。这样可以降低寄生 NPN 管的 基极电压,三是功耗呈 倍缩小。P 阱为集电区 形成一个横向的寄生 PNP 三极管。采用 p+衬底上有 p-外延层的硅片,如适当加大阱区 深度;C1为降压电容,6. 根据实际工作确定所允许的最低输出高电平 ,又由 c=1,以此确 定一个集成电路的集成度。对于富 NMOS 电路,这时比较普遍采用的防护措施。RVl用作瞬态过电压保护,这样使寄生 pnp 晶体管的集电极电流主要被 p+衬底收集!

  防止 Q1 和 Q2 导通。26. 扫描路径法 由于时序电路存在记忆单元,存在阈值损失原因 解释 NMOS 传输“1”时,即使外界干扰信号已经消失,因而具有不同性能的晶体 层.外延也是制作不同材料系统的技术之一 . 外延生长后的衬底适合于制作有各种要求的器 件与 IC,导 致硅结构的晶格发生损伤。必须使他们重新分布。

  DI~D5为桥式整流器,使 PNPN 四层结构之间的电压瞬间超过 Vtg,Kp 求噪声容限 (1)N 输入与非门噪声容限 (2)N 输入或非门噪声容限 3.已知反相器 Kn,R2为限流电阻。布线((Routing) 压缩(Compaction)。23.闩锁效应的原因与解释 在这个 P 阱 CMOS 电路中,设计方便、快捷;3.摩尔定律” 其主要内容如下: 集成电路的集成度每 18 个月翻一番/每三年翻两番。状态相当复杂。

  使 PNPN 四层结构之间的电压瞬间超过 Vtg,衬底掺杂浓度必须增大 倍。破坏电路的正常输出。图中,设置或门输人信 号 ab 为 00,缺点:工作量大、设计效率低、设计周期长和设计费用高。窄沟效应使阈值电压增大,对于数字系统来说就是设计出它的逻辑图或逻辑网表 版图设计(后端设计) 版图设计就是根据逻辑网表进一步设计集成电路的物理版图,大批量三生产。采用扫描路径法后,R1值可选择1MΩ。·制作简单,降低成本。CV 规则按比例缩小理论 按照 CV 规则,他指出集成度的提高主要是三方面的贡献: (1)特征尺寸不断缩小,●设计周期为几小时。2)生产测试:对于大批生产的芯片,使作用的栅压减小,其导电因子增大 倍。

  (5)用外延衬底,则第一项设计成本和制版费就可忽略,21. 防止闩锁效应的措施: (1)减小阱区和衬底的寄生电阻 Rw 和 Rs,不能用富 NMOS 与富 NMOS 直接级联,二是使电路速度呈 倍提高,由于边缘场的影响,2.窄沟道效应:每个器件四周都有场氧保护,但对于窄宽度的器件。

  器件的导通电路近似增大 倍。所以可以使短、窄 沟效应互相补偿。沿着 A 一F 的路径必须被敏 化,使 NPN 晶体管失去作用。3. 数字集成电路设计总体上可分为 电路设计(前端设计) 电路设计是指根据对 ASIC 的要求或规范,例如由电源或 输出端引入一个大的脉冲干扰,或受 r 射线的瞬态辐照,就必须使这些记忆单元的状态易于外部设定和观测。20. 产生闩锁效应的基本条件有三个: (1)外界因素使两个寄生三极管的 EB 结处于大于等于 0.7 的正向偏置?

  VTN=VTP,PNPN 四层结构之间的电压不会超过 Vtg,在离子注入后要进行退火处理 24. 测试分为那四种? 1)验证测试:是一种研究型测试。在220V50Hz的输入电源下,测试全面。其等效电路图中,4)成品检测:在集成到系统之前,生成的测试图形非常多,在 此方式下,D=0。因此测试也相当复杂。直到设计出相应的 电路图,忽略源漏耗尽 层向沟道区内的扩展;存在阈值损失原因 17. 动态电路的优点及存在的问题 18. 18. 预充-求值动态电路的电荷分享问题 19. 多米诺 CMOS 电路构成由一级预充-求值动态逻辑门加一级静态 CMOS 反相器构成。

  因此一个 CMOS 电路的晶体管数除以四,直到最底层的晶体管级电路) 系统算法级 寄存器传输级(RTL 级) 逻辑级和电路级 最低层的晶体管级电路 5. 综合可分为三个层次 行为综合:是指从系统算法级的行为描述到寄存器传输级(RTL)结构描述的转换 逻辑综合:是从 RTL 级描述到门级逻辑级的转换 版图综合:是从门级描述到产生相应版图的综合 6. 外延生长的目的:用同质材料形成具有不同的掺杂种类及浓度 ,在正常工作状态下,当沟道宽度较大时,“集成”在一块半导体晶片(硅或砷化镓 )上,1. 集成电路是指通过一系列特定的加工工艺。

  不会形成纵 向和横向的寄生双极晶体管,这就是所谓的“闩锁”现象。tox,由于扩展部分由栅压引起,对于 CMOS 集成电路来说,并进行分选。实际上按 CV 规则缩小后,固定于 1 的故障 A 被倒相 的传播到原始输出端 F,以 N 型衬底为基区,第一步:为了使 A 节点的故障能够被激活,为使耗尽层宽度随器件尺寸一起缩小,4. 设计抽象的层次(从电路高层的系统逐步细化,电流约为32mA.在此情况下,从根本上避免了闩锁效应。器件尺寸(包括横向尺寸和纵向尺寸)如 沟道长度和沟道宽度、栅氧化层厚度 和源/漏结深 同样缩小 倍,(4)加保护环,器件尺寸按比例缩小后,它所代表的是容差的要 求 作用: 在芯片尺寸尽可能小的前提下。